台积电1nm芯片工厂有着落了：投资超2000亿 成本远高于3nm

台积电的下一代先进工艺中，3nm明年会放量生产，2nm工艺在2025年量产，再往后的1nm工艺一直没有明确计划，不过工厂的事差不多定下了，新竹科学园区有关负责人今日表示，台积电未来1nm厂将落脚竹科龙潭园区。

目前台积电确定的只是前期的选址，后面还有一大堆流程要走，即便一切顺利，如今先进的芯片厂建设周期至少3年，再加上2nm工艺是2025年量产，1nm工艺量产至少要到2028年之后了。

至于具体的技术细节，那更是无从谈起，不过台积电在2nm之后就会使用GAA晶体管技术，1nm也不会例外。

还有就是投资金额，台积电3nm、5nm工厂的建设资金大约是200亿美元，1nm工艺的投资计划高达320亿美元，轻松超过2000亿元，成本要比前面的工艺高多了。

其中一个重要原因就是下一代EUV光刻机，目前AMSL的EUV光刻机可以满足3nm工艺的需要，2nm之后的工艺就要上高NA技术的EUV光刻机了，型号是NXE:5200，价格直线飞升，从目前的1.5亿美元大幅上涨到4亿美元以上。