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美光推出基于1β技术的DDR5内存 速率高达7,200MT/s

2023-10-20 10:26| 发布者: | 查看: 56| 评论: 0

摘要: 10月20日消息,Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)宣布已将业界领先的1β(1-beta)制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s,现已面向数据中心及PC市 ...

[aipingce]10月20日消息,Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)宣布已将业界领先的1β(1-beta)制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s,现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术,相比上一代产品,性能提升高达50%,每瓦性能提升33%。

随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求,系统对更高的内存带宽与容量的需求也显著增长,从而在应对“内存墙”挑战的同时优化客户的总体拥有成本。美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。全新1β DDR5 DRAM产品线提供速率从4,800 MT/s到7,200 MT/s的现有模块密度,能够满足数据中心和客户端的应用需求。

美光核心计算设计工程部门企业副总裁Brian Callaway表示:“面向客户端和数据中心平台的1β DDR5 DRAM量产及出货,标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴及客户紧密合作,将推动高性能内存产品的市场普及。”

美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案,包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM;采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X;HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5内存将通过直销及渠道合作伙伴供货。

 


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